Mga Electronic Components IC Chips Integrated Circuits IC TPS74701QDRCRQ1 one spot buy

Ang relasyon tali sa mga tinapay ug mga chips

Kinatibuk-ang panglantaw sa mga ostiya

Aron masabtan ang relasyon tali sa mga tinapay ug mga chips, ang mosunod mao ang usa ka kinatibuk-ang panglantaw sa mga mahinungdanong elemento sa kahibalo sa ostiya ug chip.

(i) Unsa ang ostiya

Ang mga wafer mao ang mga wafer nga silicon nga gigamit sa paghimo sa mga integrated circuit nga silicon semiconductor, nga gitawag nga mga wafer tungod sa ilang lingin nga porma;mahimo silang maproseso sa mga silicon wafer aron maporma ang lainlaing mga sangkap sa sirkito ug mahimong mga produkto sa integrated circuit nga adunay piho nga mga gimbuhaton sa kuryente.Ang hilaw nga materyales alang sa mga wafer maoy silikon, ug adunay dili mahurot nga suplay sa silicon dioxide sa ibabaw sa panit sa yuta.Ang silikon dioxide ore gipino sa electric arc furnaces, chlorinated sa hydrochloric acid ug distilled aron makahimo og taas nga purity polysilicon nga adunay purity nga 99.99999999999%.

(ii) Panguna nga hilaw nga materyales para sa mga ostiya

Ang silikon gipino gikan sa quartz nga balas ug ang mga wafer giputli (99.999%) gikan sa elemento nga silicon, nga gihimo dayon nga mga silicon rod nga nahimong materyal alang sa quartz semiconductors alang sa integrated circuits.

(iii) Proseso sa paghimo og wafer

Ang mga wafer mao ang sukaranan nga materyal alang sa paghimo og mga semiconductor chips.Ang labing importante nga hilaw nga materyal alang sa semiconductor integrated circuits mao ang silicon ug busa katumbas sa silicon wafers.

Ang silikon kaylap nga makita sa kinaiyahan sa porma sa silicates o silicon dioxide sa mga bato ug graba.Ang paghimo sa mga wafer sa silicon mahimong i-summarize sa tulo ka sukaranan nga mga lakang: pagdalisay ug pagputli sa silikon, pagtubo sa usa ka kristal nga silikon, ug pagporma sa wafer.

Ang una mao ang pagputli sa silicon, diin ang hilaw nga materyal sa balas ug graba gibutang sa usa ka electric arc furnace sa temperatura nga mga 2000 °C ug sa presensya sa gigikanan sa carbon.Sa taas nga temperatura, ang carbon ug ang silicon dioxide sa balas ug graba moagi sa usa ka kemikal nga reaksyon (carbon kombinar uban sa oksiheno, nagbilin silicon) aron makakuha og lunsay nga silicon nga adunay kaputli nga mga 98%, nailhan usab nga metallurgical grade silicon, nga dili lunsay nga igo alang sa microelectronic nga mga himan tungod kay ang mga elektrikal nga kabtangan sa mga semiconductor nga mga materyales sensitibo kaayo sa konsentrasyon sa mga hugaw.Ang metallurgical grade silicon busa dugang nga giputli: ang nahugno nga metallurgical grade silicon gipailalom sa usa ka chlorination reaction uban sa gaseous hydrogen chloride aron makagama og liquid silane, nga dayon distilled ug kemikal nga pagkunhod sa usa ka proseso nga mohatag og high-purity polycrystalline silicon nga adunay purity nga 99.99999999999 %, nga nahimong electronic grade silicon.

Sunod moabut ang monocrystalline silicon nga pagtubo, ang labing kasagaran nga pamaagi nga gitawag direkta nga pagbira (CZ method).Sama sa gipakita sa diagram sa ubos, ang high-purity polysilicon gibutang sa usa ka quartz crucible ug gipainit nga padayon nga adunay usa ka graphite heater nga naglibot sa gawas, nga nagmintinar sa temperatura sa gibana-bana nga 1400 °C.Ang gas sa hudno kasagaran inert, nga nagtugot sa polysilicon nga matunaw nga dili makamugna og dili gusto nga kemikal nga mga reaksyon.Aron maporma ang usa ka kristal, ang oryentasyon sa mga kristal kontrolado usab: ang crucible gipatuyok sa polysilicon melt, usa ka kristal nga liso ang gituslob niini, ug ang usa ka drowing nga sungkod gidala sa atbang nga direksyon samtang hinay-hinay ug patindog nga gibira kini pataas gikan sa natunaw ang silicon.Ang natunaw nga polysilicon motapot sa ilawom sa liso nga kristal ug motubo pataas sa direksyon sa lattice arrangement sa liso nga kristal.