STF13N80K5 Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

mubo nga paghulagway:

Ang STF13N80K5 power MOSFETde adunay pinakataas nga konsumo sa kuryente nga 35,000 mW.Aron masiguro nga ang mga bahin dili madaot sa daghang pakete, kini naggamit sa tubular nga pakete, nga nagdugang gamay nga proteksyon pinaagi sa pagtipig sa mga luag nga bahin sa gawas nga mga tubo.Ang transistor dali ug dali nga makabalhin tali sa lainlaing mga signal sa elektroniko.Ang aparato nagsagop sa super mesh nga teknolohiya.Ang MOSFET transistor naglihok sa range sa temperatura -55°C hangtod 150°C.

Ipadala ang email kanamo Pag-download sa Datesheet

Detalye sa Produkto

Mga Tag sa Produkto

Mga Hiyas sa Produkto

EU RoHS	Nagsunod sa Exemption
ECCN (US)	EAR99
Kahimtang sa Bahin	Aktibo
HTS	8541.29.00.95
SVHC	Oo
Ang SVHC Milapas sa Threshold	Oo
Automotive	No
PPAP	No
Kategoriya sa Produkto	Gahum MOSFET
Pag-configure	Single
Teknolohiya sa Proseso	SuperMESH
Mode sa Channel	Gipanindot
Uri sa Channel	N
Gidaghanon sa mga Elemento kada Chip	1
Pinakataas nga Drain Source Voltage (V)	800
Kinatas-an nga Gate Source Voltage (V)	± 30
Kinatas-ang Gate Threshold Boltahe (V)	5
Temperatura sa Operating Junction (°C)	-55 ngadto sa 150
Kinatas-an nga Padayon nga Pag-agos sa Agos (A)	12
Pinakataas nga Gate Source Leakage Current (nA)	10000
Maximum nga IDSS (uA)	1
Pinakataas nga Pagsukol sa Tinubdan sa Drain (mOhm)	450@10V
Kinaandan nga Gate Charge @ Vgs (nC)	27@10V
Kinaandan nga Gate Charge @ 10V (nC)	27
Kinaandan nga Input Capacitance @ Vds (pF)	870@100V
Kinatas-an nga Power Dissipation (mW)	35000
Kinaandan nga Panahon sa Pagkapukan (ns)	16
Kinaandan nga Panahon sa Pagtaas (ns)	16
Kinaandan nga Oras sa Paglangan sa Pagpatay (ns)	42
Kinaandan nga Oras sa Paglangan sa Pag-on (ns)	16
Minimum nga Operating Temperatura (°C)	-55
Pinakataas nga Operating Temperatura (°C)	150
Grado sa Temperatura sa Supplier	Pang-industriya
Pagputos	tubo
Pinakataas nga Positibo nga Gate Source Voltage (V)	30
Maximum nga Diode Forward Voltage (V)	1.5
Pagbutang	Pinaagi sa Hole
Taas sa Pakete	16.4(Max)
Lapad sa Pakete	4.6(Max)
Gitas-on sa Pakete	10.4(Max)
Nagbag-o ang PCB	3
Tab	Tab
Standard Ngalan sa Pakete	TO
Pakete sa Supplier	TO-220FP
Ihap sa Pin	3
Hulma nga Tingga	Pinaagi sa Hole

pasiuna

Ang field effect tube kay usa kaelektronik nga himangigamit sa pagkontrolar ug pag-regulate sa kasamtangan sa usa ka electronic circuit.Kini usa ka gamay nga triode nga adunay taas kaayo nga ganansya.Ang mga fets kaylap nga gigamit sa mga electronic circuit, sama sapower amplifier, sirkito sa amplifier, filter circuit,switching circuitug uban pa.

Ang prinsipyo sa field effect tube mao ang field effect, nga usa ka electrical phenomenon nga nagtumong sa pipila ka mga semiconductor nga mga materyales, sama sa silicon, human sa paggamit sa usa ka apply electric field, ang kalihokan sa mga electron niini kamahinungdanon milambo, sa ingon nag-usab sa iyang conductive. kabtangan.Busa, kon ang usa ka electric field gipadapat sa nawong sa usa ka semiconductor nga materyal, ang conductive nga mga kabtangan niini mahimong kontrolado, aron makab-ot ang katuyoan sa pag-regulate sa kasamtangan.

Ang mga fets gibahin sa N-type fets ug P-type Fets.Ang N-type nga Fets gihimo sa N-type nga semiconductor nga mga materyales nga adunay taas nga forward conductivity ug ubos nga reverse conductivity.Ang P-type Fets gihimo sa P-type nga semiconductor nga mga materyales nga adunay taas nga reverse conductivity ug ubos nga forward conductivity.Ang field effect tube nga gilangkuban sa N-type nga field effect tube ug P-type nga field effect tube makaamgo sa kasamtangan nga kontrol.

Ang nag-unang bahin sa FET mao nga kini adunay taas nga kasamtangan nga ganansya, nga angay alang sa taas nga frequency ug taas nga pagkasensitibo nga mga sirkito, ug adunay mga kinaiya sa ubos nga kasaba ug ubos nga cutoff nga kasaba.Adunay usab kini nga mga bentaha sa mubu nga konsumo sa kuryente, mubu nga pagkawala sa kainit, kalig-on ug kasaligan, ug usa ka sulundon nga elemento sa pagkontrol sa karon.

Ang mga fets nagtrabaho sa susama nga paagi sa ordinaryo nga triodes, apan adunay mas taas nga ganansya karon.Ang working circuit niini kasagarang gibahin sa tulo ka bahin: source, drain ug control.Ang tinubdan ug habwa nagporma sa agianan sa kasamtangan, samtang ang control pole nagkontrolar sa dagan sa kasamtangan.Kung ang usa ka boltahe gipadapat sa control pole, ang dagan sa kasamtangan mahimong kontrolado, aron makab-ot ang katuyoan sa pag-regulate sa kasamtangan.

Sa praktikal nga mga aplikasyon, ang Fets sagad nga gigamit sa mga high frequency circuit, sama sa power amplifier, filter circuits, switching circuits, ug uban pa.Sa filter circuit, ang field effect tube makasala sa kasaba sa circuit.Sa switching circuit, ang FET makaamgo sa switching function.

Sa kinatibuk-an, ang Fets usa ka hinungdanon nga sangkap sa elektroniko ug kaylap nga gigamit sa mga electronic circuit.Kini adunay mga kinaiya sa taas nga kasamtangan nga ganansya, ubos nga konsumo sa kuryente, kalig-on ug kasaligan, ug usa ka sulundon nga elemento sa pagkontrol sa kasamtangan

Kaniadto: L6205PD013TR 100% Bag-o ug Orihinal nga Kaugalingong Stock integrated circuit nga High-Performance Clock Buffer nga Pamilya

Sunod: XCVU190-2FLGB2104I 100% Bag-o ug Orihinal nga Kaugalingong Stock Integrated Circuit High-Performance Clock Buffer Family

Isulat ang imong mensahe dinhi ug ipadala kini kanamo